[发明专利]一种用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台

摘要

本发明公开了一种用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台，包括衬底、设置于衬底上的多个支撑立柱，和制备在所述支撑立柱的上表面、侧面，以及衬底的上表面，实现支撑立柱的上表面与衬底的上表面电学连接的金属连接层。本发明通过设置于衬底上的支撑立柱支撑待测的薄膜材料及微纳结构使其悬空，实现较好的机械耐压强度；同时制备在所述支撑立柱的上表面、侧面，以及衬底的上表面，实现支撑立柱的上表面与衬底的上表面电学连接的金属连接层在接触面形成良好的欧姆接触，满足薄膜材料及微纳结构的介电、压电、阻容等电学参数的精确测量。

主权项

1.一种用于薄膜材料及微纳结构的电学参数检测平台，其特征在于：包括衬底（1）、设置于衬底（1）上的多个支撑立柱（2），和制备在所述支撑立柱（2）上的上表面、侧面，以及衬底（1）的上表面，实现支撑立柱（2）的上表面与衬底（1）的上表面电学连接的金属连接层（3）；所述电学参数检测平台的制备方法包括：清洗硅衬底的步骤：a．用甲苯溶液浸泡硅衬底1‑2小时，充分溶解残留在硅衬底上表面的有机沾污物；b．更换甲苯溶液，将甲苯溶液浸泡硅衬底用超声清洗3‑5分钟，重复清洗三次；c．更换丙酮溶液，将丙酮溶液浸泡硅衬底用超声清洗3‑5分钟，重复清洗三次；d．更换乙醇溶液，将乙醇溶液浸泡硅衬底用超声清洗3‑5分钟，重复清洗三次；f．用氮气吹干硅衬底表面的残余液体，然后将硅衬底放入烘箱，烘烤温度为80‑90℃，烘烤2小时；制备支撑立柱的步骤：将设计好的支撑立柱图案制作成光刻掩膜版，然后采用传统光刻工艺的涂胶、曝光、显影的步骤，在硅衬底上形成5个高度为20‑30微米的有机物支撑立柱；在完成上述步骤的硅衬底上，通过磁控溅射的方法溅射1000 Å镍铬层在支撑立柱的上表面、侧面，以及硅衬底（1）的上表面，形成金属连接层。