[发明专利]一种采用非晶微晶材料制造功率扼流圈的方法在审
| 申请号： | 201610312021.6 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106409488A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郭立功 | 申请（专利权）人： | 延安璟达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F37/00 | 分类号： | H01F37/00;H01F27/25;H01F3/14;H01F1/153;H01F41/02 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 716000 陕西省延安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用非晶微晶材料制造功率扼流圈的方法，将非晶微晶材料卷绕成磁芯，在磁芯的上下分别设置由非晶微晶材料卷绕成的上部分磁路和下部分磁路。本发明一种采用非晶微晶材料制造功率扼流圈的方法，改变传统磁路走向的习惯思维，采用非晶微晶材料卷绕成一定形状的部件，无需通过机加工切割，用于搭建功率扼流圈的部分或全部磁路。如此制造的功率扼流圈既能充分发挥该类材料Bs高的优势，又能充分利用该类材料损耗低的优势。采用本发明方法制造的高频功率扼流圈功率损耗小，同时具有频率适应性好、体积小、成本低廉的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 非晶微晶 材料 制造 功率 扼流圈 方法 | ||
【主权项】：
一种采用非晶微晶材料制造功率扼流圈的方法，其特征在于，将非晶微晶材料卷绕成磁芯，在磁芯的上下分别设置由非晶微晶材料卷绕成的上部分磁路和下部分磁路。
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