[发明专利]聚酰亚胺层的制造方法有效
| 申请号： | 201610307238.8 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105810567B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;陈宏;王卉;付永琴;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种聚酰亚胺层的制造方法，在显影和固化步骤之间增加了一步显影后烘烤步骤，该步骤在100℃～200℃低温烘烤环境中使涂膜中可能存在的气体提前并且均匀挥发，同时保持涂膜一定的回流性能，能够维持与底部的半导体衬底晶圆表面紧密粘附，从而减少甚至消除后来的固化成型工艺可能引起聚酰亚胺层中气体不均匀挥发而最终导致的圆点缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚酰亚胺层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：涂敷：把聚酰亚胺前驱物涂敷在一半导体衬底晶圆上以形成涂膜；曝光：采用曝光设备和一掩膜版对所述涂膜曝光，以将所述掩膜版上的图案转移到所述涂膜上；显影：采用显影液去除所述涂膜中未曝光的部分，并冲洗所述半导体衬底晶圆；显影后烘烤：在120℃～200℃烘烤温度下对显影后的所述涂膜进行烘烤；固化：对所述显影后烘烤过的所述涂膜进行固化，使所述涂膜转化为聚酰亚胺层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
