[发明专利]一种乙硅烷的制造方法有效
| 申请号： | 201610299473.5 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN105800616B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 黄晓东;谢嵩嶽 | 申请（专利权）人： | 浙江迅鼎半导体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种乙硅烷的制造方法，以硅化镁与氯化氨为原料进行反应，在液氨及催化剂存在下生成乙硅烷气体，反应温度为‑10℃‑‑50℃，反应压力为0.2‑1MPa，所述硅化镁与氯化氨的摩尔比为12‑5，所述催化剂为锌的配合物。本发明方法中乙硅烷是生产过程的主产品，因而可解决大规模生产乙硅烷的副产品问题，大大提高生产高纯乙硅烷的生产效率，耗能低，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅烷 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种乙硅烷的制造方法，其特征在于，以硅化镁与氯化氨为原料进行反应，在液氨及催化剂存在下生成乙硅烷气体，反应温度为20℃至50℃，反应压力为0.2‑1MPa，所述硅化镁与氯化氨的摩尔比为1:2‑5，所述催化剂为C54H45P3ZnX2、C68H56Fe2P4ZnY2、C52H48P4ZnCl2、C54H52P4ZnCl2中的一种或几种；其中X为F、Cl、Br或I，Y为Br或I。
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