[发明专利]一种氧化锑膜的制备方法

摘要

一种氧化锑膜的制备方法，其主要是先按每11毫升乙二胺和1，2‑乙二硫醇混合溶液加入0.01‑0.03g硫化锑的比例将硫化锑溶于乙二胺和1，2‑乙二硫醇混合溶液，制得电沉积液；然后将两块透明电极垂直排列放入装有电沉积液的电解槽中进行阴极恒电位电沉积，电压为1.5‑8V，电镀时间为5‑30min，电沉积结束后，阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜；膜电极在水中浸泡1‑24小时，在氮气气氛下300度到400度热处理1‑10分钟，自然冷却至室温，在导电基体得到氧化锑膜。本发明制备方法简单、反应时间短、产率高，适用于工厂大批量生产，实用性强，具有很好的应用前景。

主权项

一种氧化锑膜的制备方法，其特征在于：它包括以下其步骤：(1)将透明电极先后在丙酮和乙醇溶液中分别超声清洗15min后，再用去离子水冲洗干净；(2)将两块透明电极垂直排列放入电解槽，制成二个电极，电极表面相互平行；(3)按每11毫升乙二胺和1，2‑乙二硫醇混合溶液加入0.01‑0.03g硫化锑的比例将硫化锑溶于乙二胺和1，2‑乙二硫醇混合溶液，制得电沉积液；所述乙二胺和1，2‑乙二硫醇的体积比为10:1；(4)将步骤(2)的二个电极放置在步骤(3)的电沉积液中进行阴极恒电位电沉积，电压为1.5‑8V，电镀时间为5‑30min，电沉积结束后，阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜；(5)将步骤(4)的电沉积膜浸泡在纯净水中1‑24小时，然后在氮气气氛下300‑400度热处理1‑10分钟，冷却至室温，得到氧化锑膜。