[发明专利]作为金属扩散阻挡层的无定形碳的高选择性沉积在审
| 申请号： | 201610290322.3 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN106128995A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 唐伟;詹森·达埃金·帕克;帕特里克·A·万克利姆布特;耶斯蒂·多蒂 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C16/26;C23C16/513 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;杨学春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及作为金属扩散阻挡层的无定形碳的高选择性沉积，具体涉及一种用于提供金属扩散阻挡层的方法，该方法包括：提供包含金属层的衬底；在所述金属层上沉积电介质层；在所述电介质层中定义特征，其中，所述特征包括由所述电介质层定义的侧壁和由所述金属层定义的底表面；在所述特征的所述侧壁上选择性地沉积金属扩散阻挡层，并且不在所述特征的所述底表面上沉积金属扩散阻挡层，其中，所述金属扩散阻挡层包括无定形碳；以及在所述特征中沉积金属。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 金属 扩散 阻挡 无定形碳 选择性 沉积 | ||
【主权项】：
一种用于提供金属扩散阻挡层的方法，其包括：提供包含金属层的衬底；在所述金属层上沉积电介质层；在所述电介质层中定义特征，其中，所述特征包括由所述电介质层定义的侧壁和由所述金属层定义的底表面；在所述特征的所述侧壁上选择性地沉积金属扩散阻挡层，其中，所述金属扩散阻挡层包括无定形碳；以及在所述特征中沉积金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
