[发明专利]一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201610283863.3 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN107342215B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈龙 | 申请（专利权）人： | 上海芯晨科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法，所述III族氮化物和硅异质集成衬底包括：硅衬底；形成于所述硅衬底第一预设区域表面的III族氮化物叠层结构；形成于所述硅衬底第二预设区域表面的硅基叠层结构；所述硅基叠层结构自下而上依次包括第一绝缘层、硅层、第二绝缘层；所述硅基叠层结构与所述III族氮化物叠层结构之间通过隔离结构隔离；覆盖于所述硅基叠层结构及所述III族氮化物叠层结构表面的盖帽层。本发明的III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法将硅基叠层结构与所述III族氮化物叠层结构集成于同一硅衬底上，所得新型异质集成衬底与CMOS兼容，可以为实现“超越摩尔定律”产品提供重要的技术创新平台。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 氮化物 硅异质 集成 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物和硅异质集成衬底，其特征在于，所述III族氮化物和硅异质集成衬底包括：硅衬底；形成于所述硅衬底第一预设区域表面的III族氮化物叠层结构；形成于所述硅衬底第二预设区域表面的硅基叠层结构；所述硅基叠层结构自下而上依次包括第一绝缘层、硅层、第二绝缘层；所述硅基叠层结构与所述III族氮化物叠层结构之间通过隔离结构隔离；覆盖于所述硅基叠层结构及所述III族氮化物叠层结构表面的盖帽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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