[发明专利]隧穿磁阻器件和隧穿磁阻读头有效
| 申请号： | 201610283732.5 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106098083B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | Z.高;S.吴 | 申请（专利权）人： | HGST荷兰公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本公开提供了隧穿磁阻器件和隧穿磁阻读头。隧穿磁阻(TMR)器件具有薄的MgO隧穿势垒层和自由铁磁多层。自由铁磁多层包括CoFeB第一铁磁层、具有负磁致伸缩的面心立方(fcc)NiFe补偿层、以及在CoFeB层和fcc NiFe补偿层之间的体心立方(bcc)NiFe插入层。可选的铁磁纳米层可以位于MgO势垒层和CoFeB层之间。可选的非晶分隔层可以位于CoFeB层和bcc NiFe插入层之间。bcc NiFe插入层(以及可选的非晶分隔层，如果使用的话)防止fcc NiFe层在退火期间不利地影响MgO层和CoFeB层的晶体形成。bcc NiFe插入层还增大TMR并降低自由铁磁多层的Gilbert阻尼常数。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 器件 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿磁阻(TMR)器件，包括：基板；参考铁磁层，在所述基板上；隧穿势垒层，在所述参考铁磁层上并由MgO构成；和自由铁磁多层，包括在所述隧穿势垒层上的第一铁磁层、具有负磁致伸缩的第二铁磁层、以及在所述自由多层的所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的具有体心立方(bcc)晶体结构的镍铁(NiFe)合金铁磁插入层。
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