[发明专利]电光装置及其制造方法、电子设备有效
| 申请号： | 201610270948.8 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106098732B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 村田贤志 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;许梅钰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电光装置及其制造方法、电子设备。电光装置的特征在于，包括：显示区域(E)，其包括具有沟槽密度D1的元件分离区域(88)并配置有像素电路(110)；驱动电路区域(105)，其包括设置有具有沟槽密度D2的驱动电路元件分离部的区域并配置有驱动电路(101、102)；周边区域(106)，其包括设置有具有沟槽密度D3的周边元件分离部的区域并至少被配置在显示区域(E)与驱动电路区域(105)之间，沟槽密度D1与沟槽密度D2不同，沟槽密度D1与沟槽密度D3相等。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 装置 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
一种电光装置，其特征在于，包括：第一区域，其包含具有第一密度的第一沟槽元件分离区域，并且配置有包含晶体管的像素电路；第二区域，其包含具有第二密度的第二沟槽元件分离区域，并且配置有供给用于对所述像素电路进行驱动的信号的驱动电路；第三区域，其包含具有第三密度的第三沟槽元件分离区域，并且至少被配置在所述第一区域与所述第二区域之间，所述第一密度与所述第二密度不同，所述第一密度与所述第三密度相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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