[发明专利]一种半导体结构的制作方法有效
| 申请号： | 201610270102.4 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107331665B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王通;任保军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制作方法，包括如下步骤：S1：提供一基底，在所述基底上形成磷掺杂的第一多晶硅层；S2：在所述第一多晶硅层表面形成非掺杂多晶硅层；S3：在所述非掺杂多晶硅层表面形成磷掺杂的第二多晶硅层；S4：进行退火，使得所述第一多晶硅层及第二多晶硅层中的部分磷扩散到所述非掺杂多晶硅层中。本发明中，所述非掺杂多晶硅层可通过在形成所述第一多晶硅层的后期停止磷掺杂得到，工艺简单易行。所述非掺杂多晶硅层可以有效阻挡所述第一多晶硅层中磷的析出，从而避免隆起缺陷的形成，有效降低第一多晶硅层与第二多晶硅层界面处或内部隆起缺陷的产生概率。而退火步骤可使得DUD结构最终转变为完整的DD结构，不会影响器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一基底，在所述基底上形成磷掺杂的第一多晶硅层；S2：在所述第一多晶硅层表面形成非掺杂多晶硅层；S3：在所述非掺杂多晶硅层表面形成磷掺杂的第二多晶硅层；S4：进行退火，使得所述第一多晶硅层及第二多晶硅层中的部分磷扩散到所述非掺杂多晶硅层中；S5：采用臭氧清洁法清洗所述第二多晶硅层表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610270102.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
