[发明专利]密封侧壁的器件晶粒及其制造方法

摘要

一种用于制造密封侧壁的器件晶粒的方法，可包括用密封剂填充深槽式器件晶圆的沟槽，得到密封的沟槽式器件晶圆。所述方法可更包括在器件晶圆中形成沟槽，得到所述深槽式器件晶圆。所述形成沟槽的步骤可包括形成至少部分地穿过所述器件晶圆的每层的沟槽。所述方法可更包括掩膜所述深槽式器件晶圆的每个器件。一种密封侧壁的器件晶粒，可包括器件基板层的至少一层，包括前述至少一层中每层的各自的表面的侧壁，覆盖所述侧壁的侧壁密封剂，和形成在所述器件基板层上的器件。侧壁密封剂可任选地不覆盖所述器件的上表面。所述器件的上表面可直接邻接其上方的环境介质。

主权项

一种用于制造密封侧壁的器件晶粒的方法，包括：用密封剂填充深槽式器件晶圆的沟槽，以获得密封的沟槽式器件晶圆。