[发明专利]一种金刚线切割的多晶硅片的制绒方法

摘要

本发明涉及一种金刚线切割的多晶硅片的制绒方法，包括取金刚线切割后的多晶硅片，通过研磨或喷砂对多晶硅片表面进行预处理，完全消除多晶硅片表面的切割纹，同时在多晶硅片表面制造出合适的损伤层；经处理后的多晶硅片经过水洗后放入酸性制绒液中，形成绒面；制绒后的多晶硅片依次经过水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗和干燥后即可完成制绒。本发明可以完全消除金刚线切割多晶硅片后多晶硅片表面的切割纹，通过控制研磨或喷砂参数可以灵活地控制多晶硅片表面损伤层形貌，使制绒后的多晶硅片绒面更均匀、反射率更低。

主权项

一种金刚线切割的多晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括：1)取金刚线切割后的多晶硅片，通过研磨或湿法喷砂对多晶硅片表面进行预处理，以消除多晶硅片表面的切割纹，处理后多晶硅片表面的粗糙度为0.5‑1.5um，损伤层深度为0.5‑3um，用去离子水清洗多晶硅片表面；其中，所述研磨采用的研磨液由磨料和分散剂按质量比1:1组成，磨料为280‑3000目的碳化硅，分散剂为北京合德丰材料科技有限公司生产并市售的型号为HMC‑430DC的分散剂，磨头压力为0.1‑1MPa，对多晶硅片表面研磨10‑300s；所述湿法喷砂指利用压缩空气携带喷砂液经喷枪射向多晶硅片表面1‑120s，喷枪嘴内径为2‑20mm，喷枪压力为1‑10kg，其中，所述喷砂液由280‑3000目的碳化硅磨料、去离子水和分散剂组成，280‑3000目的碳化硅磨料与去离子水的质量比为1:1‑1:100，所述分散剂为北京合德丰材料科技有限公司生产的型号为HMC‑430DC的分散剂，分散剂的用量为喷砂液总质量的0.2％‑10％；2)将1)处理后的多晶硅片完全浸入酸性制绒液中0.5‑5min，制绒液温度为0‑30℃，使多晶硅片表面形成绒面，用去离子水清洗多晶硅片表面，以去除多晶硅片表面的酸性制绒液；3)将2)处理后的多晶硅片完全浸入碱洗液中0.1‑10min，以去除多晶硅片表面的多孔硅及残留的酸性制绒液，用去离子水清洗多晶硅片表面，以去除多晶硅片表面的碱洗液；4)将3)处理后的多晶硅片完全浸入酸洗液中0.1‑10min，以去除多晶硅片表面的金属离子及残留碱洗液，用去离子水清洗多晶硅片表面，以去除多晶硅片表面的酸洗液；5)将4)处理后的多晶硅片吹干或甩干。