[发明专利]一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610246740.2 申请日: 2016-04-20
公开(公告)号: CN105846310B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 王新强;王钇心;刘双龙;荣新;王平;秦志新;童玉珍;许福军;沈波 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01S5/04 分类号: H01S5/04;H01S5/028;H01S5/34;H01S5/343
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 王岩
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法。本发明的外延层的多量子阱作为有源区,势阱采用单原子层或亚原子层的数字合金,可以提高载流子局域化,抑制非辐射复合过程,进而提高内量子效率;利用周期性网格状划痕并蒸镀高反射金属薄膜,形成具有凹面的网格状反射层,可增强紫外光的反射,提高光提取效率;电子束泵浦源采用场发射电子束,场发射电子束的小型化和成本低廉使其易于商业化;同时,电子束泵浦源均配有金属栅极,更易于阴极加速的电流的控制、可有效解决发射电子均匀性。
搜索关键词: 一种 增强 电子束 紫外 光源 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种出光增强型电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述紫外光源包括:衬底、外延层、网格状反射层、电子束泵浦源和出光窗口;其中,所述外延层的背面形成在衬底上,外延层从背面至正面依次包括模板材料、缓冲层和多量子阱;多量子阱作为有源区采用III‑V族或II‑VI族元素,势阱采用数字合金,数字合金包含II族或III族元素构成的单原子层或亚原子层;在外延层的正面刻出周期性网格状划痕,划痕深入至衬底;在未划痕的表面和划痕的表面蒸镀一层均匀的高反射金属薄膜,形成网格状反射层,在划痕处具有凹面;在衬底的背面设置出光窗口;所述电子束泵浦源发射电子束,从正面入射,激发多量子阱产生紫外光;产生的部分紫外光直接经衬底从背面的出光窗口输出;部分紫外光在外延层与衬底的界面发生全反射,网格状反射层的凹面阻挡了紫外光从外延层的侧面出射,从而提高了紫外光从背面的出光窗口的出光效率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610246740.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top