[发明专利]磁传感器、磁传感器的制造方法以及磁传感器的设计方法有效
| 申请号： | 201610245264.2 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN106066460B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 小池文人;奥村博文;筱原英司;繁田一央;齐藤拓 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即便存在铁磁体层的制造工序中的公差，也不产生角度误差且温度可靠性高的磁传感器。在将第一磁传感器元件中的第一铁磁性层以及第二铁磁性层的磁化量分别设为Mst11以及Mst12、将第二磁传感器元件中的第一铁磁性层以及第二铁磁性层的磁化量分别设为Mst21以及Mst22的情况下，满足如下所述的关系：在Mst11＞Mst12的情况下，Mst21＞Mst22；或者在Mst11＜Mst12的情况下，Mst21＜Mst22。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 制造 方法 以及 设计 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其中，所述磁传感器由具有第一磁传感器元件和第二磁传感器元件的电桥电路构成，所述第一磁传感器元件以及所述第二磁传感器元件分别具有固定磁性层、非磁性中间层以及自由磁性层，所述固定磁性层具有第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的反平行耦合层，所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层借助所述反平行耦合层而被反铁磁性地耦合，所述第一磁传感器元件中的固定磁性层的磁化方向与所述第二磁传感器元件中的固定磁性层的磁化方向不同，在将所述第一磁传感器元件中的所述第一铁磁性层以及所述第二铁磁性层的磁化量分别设为Mst11以及Mst12、将所述第二磁传感器元件中的所述第一铁磁性层以及所述第二铁磁性层的磁化量分别设为Mst21以及Mst22的情况下，满足如下所述的关系：在Mst11＞Mst12的情况下，Mst21＞Mst22；或者在Mst11＜Mst12的情况下，Mst21＜Mst22。
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