[发明专利]承载装置在审
申请号: | 201610242234.6 | 申请日: | 2016-04-19 |
公开(公告)号: | CN106560914A | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 邓志明;陈绍禹 | 申请(专利权)人: | 亿力鑫系统科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/68 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司11355 | 代理人: | 张雅军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种承载装置,包含一第一升降机构及一第二升降机构,第一升降机构包括一承载盘、一升降总成及一第一驱动元件,第一驱动元件用以驱动升降总成及承载盘在一第一初始位置,及一第一抬升位置间移动,第二升降机构包括一框架、多根顶撑杆及一第二驱动元件,各顶撑杆包含一顶端,第二驱动元件用以驱动框架及顶撑杆在一第二初始位置,及一第二抬升位置间移动,当顶撑杆在第二初始位置时,各顶撑杆的顶端高度低于承载盘高度,当顶撑杆在第二抬升位置时,各顶撑杆的顶端高度高于承载盘高度。借此,能增添承载装置在使用上的弹性及灵活性。 | ||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
【主权项】:
一种承载装置;其特征在于:该承载装置包含一第一升降机构,及一第二升降机构,该第一升降机构包括一承载盘、一设置于该承载盘底端的升降总成,及一与该升降总成相连接的第一驱动元件,该第一驱动元件用以驱动该升降总成及该承载盘在一第一初始位置,及一高度高于该第一初始位置高度的第一抬升位置间移动,该第二升降机构包括一框架、多根设置于该框架且彼此相间隔的顶撑杆,及一设置于该升降总成与该框架间的第二驱动元件,各该顶撑杆包含一顶端,该第二驱动元件用以驱动该框架及所述顶撑杆在一第二初始位置,及一高于该第二初始位置高度的第二抬升位置间移动,当所述顶撑杆在该第二初始位置时,各该顶撑杆的该顶端高度低于该承载盘高度,当所述顶撑杆在该第二抬升位置时,各该顶撑杆的该顶端高度高于该承载盘高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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