[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法。该TFT阵列基板将TFT(200)的源极(240)和漏极(250)设置在栅极绝缘层(220)上，将数据线(400)设置在覆盖TFT(200)的源极(240)和漏极(250)的第一钝化保护层(300)上，使得数据线(400)与TFT(200)的源极(240)和漏极(250)位于不同的层别，能够通过调整第一钝化保护层(300)的厚度来灵活调整数据线(400)与栅极(210)之间的间距，与现有技术相比，增大了数据线(400)与栅极(210)之间的间距，减小了数据线(400)与栅极(210)之间的寄生电容，降低了数据线(400)的功耗，同时，栅极绝缘层(220)的厚度不受影响，TFT(200)的源极(240)与漏极(250)的位置不变，能够维持TFT特性的稳定。

主权项

一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(100)、设置在所述衬底基板(100)上的TFT(200)、覆盖所述TFT(200)的第一钝化保护层(300)、设置在所述第一钝化保护层(300)上的数据线(400)、覆盖所述第一钝化保护层(300)和数据线(400)的第二钝化保护层(500)、及设置在所述第二钝化保护层(500)上的像素电极(600)；所述TFT(200)包括：设置在衬底基板(100)上的栅极(210)、覆盖所述栅极(210)与衬底基板(100)的栅极绝缘层(220)、于所述栅极(210)上方设置在所述栅极绝缘层(220)上的有源层(230)、及设置在所述栅极绝缘层(220)上分别接触有源层(230)两端的源极(240)和漏极(250)；在所述漏极(250)上方设有贯穿第一钝化保护层(300)的第一过孔(310)；所述数据线(400)通过所述第一过孔(310)与漏极(250)接触。