[发明专利]制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法在审
| 申请号： | 201610236461.8 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105887015A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 魏威;陈鑫;张克难;张天宁;戴宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法，制备方法分为两步：先用化学气相沉积、溅射法或热蒸发等方法在尺寸为1平方厘米到100平方厘米的硅、二氧化硅、碳化硅、三氧化二铝或二氧化钛等衬底上沉积厚度为2纳米到50纳米金属钨或钼的氧化物薄膜，或钼与钨的混合氧化物薄膜，沉积温度为100℃到500℃，沉积时间为10分钟到24小时；再将沉积有氧化物薄膜的衬底在惰性气体或氢气气氛下与单质硫进行高温反应，反应温度为550℃到1100℃，反应气压为1毫巴到1巴，反应时间为30秒到10分钟，自然冷却后得到大面积单层二硫化钨或二硫化钼结构。本发明的优点是：反应简单，可控性好，能制备出均一、稳定的单层二硫化钨和二硫化钼结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 大面积 单层 硫化 二硫化钼 结构 分步 方法 | ||
【主权项】：
一种制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法，其特征在于，包括如下步骤：1)、先在衬底上通过化学气相沉积、溅射法或热蒸发方法制备厚度为2纳米到50纳米金属钨或钼的氧化物薄膜，制备温度为100℃到500℃，时间为10分钟到24小时；2)、再将沉积有氧化物薄膜的衬底在惰性气体或氢气气氛下与单质硫进行高温反应，高温反应温度为550℃到1100℃，反应气压为1毫巴到1巴，反应时间为30秒到10分钟，自然冷却后得到大面积单层二硫化钨或二硫化钼结构。
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