[发明专利]一种超疏水微坑阵列芯片及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种超疏水微坑阵列芯片及其制备方法与应用。该超疏水微坑阵列芯片包括微坑阵列层，所述微坑阵列层上除微坑或微坑底部以外的表面为超疏水表面。所述超疏水微坑阵列芯片可为：1)微坑以外的表面为超疏水表面，超疏水微坑阵列芯片包括微坑阵列层和贴合在微坑阵列层表面上的超疏水层；2)微坑底部以外的表面为超疏水面，微坑阵列层包括基底层和贴合在基底表面的微孔阵列层，微孔阵列层是由超疏水材料制作的。本发明微坑阵列芯片在构建细胞微阵列过程中可以很低的成本实现细胞微阵列间的完全隔绝，避免细胞阵列之间交叉污染的发生，并且还保证了很好的生物相容性，对各种细胞的正常生长没有明显的影响，适宜于高通量细胞检测和分析。

主权项

1.一种超疏水微坑阵列芯片，它包括微坑阵列层，其特征在于：所述微坑阵列层上设有微坑的表面上除微坑或微坑底部以外的表面为超疏水表面；当所述微坑以外的表面为超疏水表面时，所述超疏水微坑阵列芯片包括微坑阵列层和贴合在所述微坑阵列层表面上的超疏水层；当所述微坑以外的表面为超疏水表面时，所述超疏水微坑阵列芯片的制作方法包括将所述微坑阵列层上除微坑以外的表面制作成超疏水表面的步骤；将所述微坑阵列层上除微坑以外的表面制作成超疏水表面，步骤如下：1-a)在所述微坑阵列层中设有微坑的表面粘附一层胶；1-b)将粘附胶的微坑阵列层按压在超疏水层的表面，经静置后揭下微坑阵列层，即得到所述的微坑阵列芯片；所述胶为Dow Corning 3140；当所述微坑底部以外的表面为超疏水表面时，所述微坑阵列层包括基底层和贴合在所述基底表面的微孔阵列层，所述微孔阵列层是由超疏水材料制作的；当所述微坑底部以外的表面为超疏水面时，所述超疏水微坑阵列芯片的制作方法包括将所述微坑阵列层上除微坑以外的表面制作成超疏水表面的步骤；将所述微坑阵列层上除微坑底部以外的表面制作成超疏水表面，步骤如下：2-a)在基底上建立微柱阵列；2-b)取另一基底，与步骤2-a)中所述微柱阵列对齐并固定在一起；在两个基底中间的空隙中灌注超疏水预聚物，经固化后分离，即得所述的超疏水微坑阵列芯片。