[发明专利]多层鳍式场效应晶体管装置有效
| 申请号： | 201610232111.4 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN106057899B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 伯纳·J·欧博阿多威;罗伯特·克里斯图福·博文;缇塔斯·拉克施特;王维一;马克·S·罗德尔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;李友佳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了多层鳍式场效应晶体管装置。所述装置可以包括位于基底上的鳍形沟道结构。沟道结构可以包括堆叠在基底上的应力层和位于应力层之间的沟道层，应力层可以包括半导体材料，所述半导体材料具有足以将载流子约束到沟道层的宽带隙，并具有与沟道层的晶格常数不同的晶格常数以诱导沟道层中的应力。所述装置还可以包括位于沟道结构的相应的第一相对侧上的源/漏区和位于沟道结构的第二相对侧上并位于源/漏区之间的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 场效应 晶体管 装置 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，所述场效应晶体管包括：鳍形沟道结构，位于基底上，沟道结构包括堆叠在基底上的应力层和位于应力层之间的沟道层，应力层包括半导体材料，所述半导体材料具有足以将载流子约束到沟道层的宽带隙，并具有与沟道层的晶格常数不同的晶格常数以诱导沟道层中的应力；源/漏区，位于沟道结构的相应的第一相对侧上；以及栅极，位于沟道结构的第二相对侧上，并位于源/漏区之间。
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