[发明专利]背结N型太阳能电池的制备方法及其电池和组件、系统在审
申请号: | 201610231356.5 | 申请日: | 2016-04-14 |
公开(公告)号: | CN105702758A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 林建伟;孙玉海;刘志锋;季根华;张育政 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军;刘卓夫 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种背结N型太阳能电池的制备方法及其电池和组件、系统。本发明的一种背结N型太阳能电池的制备方法,对N型晶体硅基体进行处理,然后在N型晶体硅基体的背表面形成穿透钝化膜的槽状结构,然后在N型晶体硅基体的背表面印刷铝浆形成背面铝电极,印刷银浆形成背面银主栅电极,之后在N型晶体硅基体的正表面印刷银浆形成正面电极,烧结后得到背结N型太阳能电池。其有益效果是:在背表面钝化膜上开槽后印刷铝浆,铝浆仅在开槽图案处与背表面p+掺杂层形成局部接触。与使用掺铝银浆印刷电极相比,本发明方法可提高电池的开路电压,同时还能够极大的减少电池片的银浆消耗,从而降低电池片的制作成本。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 方法 及其 电池 组件 系统 | ||
【主权项】:
一种背结N型太阳能电池的制备方法,其特征在于:对N型晶体硅基体进行处理,在N型晶体硅基体的正表面形成依次从内到外的n+掺杂区域和正表面钝化减反膜;在N型晶体硅基体的背表面形成依次从内到外的p+掺杂区域和背表面钝化膜;在N型晶体硅基体的背表面形成穿透钝化膜的槽状结构,然后在N型晶体硅基体的背表面印刷铝浆形成背面铝电极,印刷银浆形成背面银主栅电极,之后在N型晶体硅基体的正表面印刷银浆形成正面电极,烧结后得到背结N型太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的