[发明专利]一种电流扩展层的生长方法及含此结构的LED外延结构

摘要

本发明公开了一种电流扩展层的生长方法，包括周期性生长4‑10个单件，所述单件由下至上依次包括P型InGaN层和SixAl(1‑x)N层或者SixAl(1‑x)N和P型InGaN层。本发明还公开了一种包括上述电流扩展层的LED外延结构。本发明采用电流扩展层，利用GaN的高能带作为势磊阻挡电子过快由N层传播到发光层，纵向传播比较拥挤的电子遇到GaN能带的阻挡适当的横向扩散开来；同时电流扩展层形成高浓度的二维电子气，二维电子气的横向迁移率很高，加速了电子的横向扩展，宏观上电流通过电流扩展层时被有效地扩展开来，随之改善的是发光层电流的分布变得均匀，从而使得LED各方面的性能能够得到提升。

主权项

一种电流扩展层的生长方法，其特征在于，包括周期性生长4‑10个单件，所述单件由下至上依次包括P型InGaN层和SixAl(1‑x)N层或者SixAl(1‑x)N和P型InGaN层：所述P型InGaN层的生长步骤具体是：保持反应腔压力为500‑750mbar、温度为950‑1000℃，通入流量为50000‑55000sccm的NH3、50‑70sccm的TMGa、90‑110L/min的H2、1200‑1400sccm的TMIn以及900‑1000sccm的Cp2Mg，生长厚度为4‑7nm的P型InGaN层，其中：In的掺杂浓度为3E19‑4E19atom/cm3，Mg的掺杂浓度为1E19‑1E20atom/cm3；所述SixAl(1‑x)N层的生长步骤具体是：保持反应腔压力为500‑750mbar、温度为950‑1000℃，通入流量为50000‑55000sccm的NH3、90‑110L/min的H2、100‑200sccm的TMAl、20‑30sccm的SiH4生长厚度为10‑20nm的SixAl(1‑x)N层，其中：x＝0.20‑0.25，Si的掺杂浓度为1E18‑5E18atom/cm3。