[发明专利]一种基于趋肤效应的铁磁导体相对磁导率检测方法及系统有效
| 申请号： | 201610227687.1 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105891746B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;安虹宇;杨文璐;汤型正;王华俊 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉） |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区鲁磨路3*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于趋肤效应的铁磁导体相对磁导率检测方法及系统，所述方法包括检测半径为r的圆柱形待测样品上任意相距L的两个检测点之间的低频电阻值R0；根据待测样品上任意两个检测点之间的低频电阻值R0、两个检测点间距L和待测样品半径r计算待测样品的电阻率ρ，检测待测样品上所述两个检测点之间的高频电阻值R；根据待测样品上所述两个检测点之间的低频电阻值R0、高频电阻值R、半径r和电阻率ρ计算待测样品的相对磁导率μr。本发明有效避免了常规方法需要将样品加工成环状、并需要绕制线圈的麻烦，也避免了磁路漏磁等缺陷，简单巧妙，检测结果准确，实现了快捷无损精确测量，具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 趋肤效应 导体 相对 磁导率 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种基于趋肤效应的铁磁导体相对磁导率检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在半径为r的圆柱形待测样品上任意选取相距为L的两个检测点，检测两个所述检测点之间的低频电阻值R0；步骤2：根据待测样品上所述两个所述检测点之间的的低频电阻值R0、两个所述检测点间距L和待测样品半径r计算待测样品的电阻率ρ；步骤3：检测待测样品上两个所述检测点之间的高频电阻值R；步骤4：根据待测样品上所述两个检测点之间的低频电阻值R0、高频电阻值R、半径r和电阻率ρ计算待测样品的相对磁导率μr。
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