[发明专利]高耐压半导体装置

摘要

本发明公开了一种高耐压半导体装置，包括一金属氧化半导体(MOS)装置，以及一电阻装置。该MOS装置包括一源极和一漏极、一漏极绝缘区，毗邻该漏极、一栅极，毗邻该源极。该电阻装置形成在该漏极绝缘区上且电性连接该漏极。该电阻装置系由多个电阻区段连接而成，且每一该等电阻区段的形状包括一弧形。本发明提供的高耐压半导体装置，降低所需面积、减少电阻值、及避免影响崩溃电压。

主权项

1.一种高耐压半导体装置，其特征在于，所述的高耐压半导体装置包括：一金属氧化半导体装置，包括：一源极和一漏极，所述漏极包括：多个指状部；一漏极绝缘区，毗邻所述漏极；及一栅极，毗邻所述源极；以及一电阻装置，形成在所述漏极绝缘区上且电性连接所述漏极的多个指状部的其中之一；所述电阻装置由多个电阻区段连接而成，且每一所述电阻区段的形状包括弧形。