[发明专利]具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201610225882.0 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105742492B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 汪琳;周家伟;张电;季欢欢;杨瑾;张淑玮;任兵;王林军 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层，其中所述磁性元素的掺杂质量比为5‑20 wt%。本发明通过一种新颖的电极结构使阻变现象仅发生在负电压，单边阻变现象使阻变存储单元热量损耗更小，提升阻变存储单元读取次数。本发明通过在非晶碳中掺杂磁性元素，使得掺杂的非晶碳薄膜阻变层在具有稳定阻变特性的同时还具有一定磁特性；阻变窗口>10，存储时间>1×105 s；结构简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单边 特性 基材 料阻变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元，其特征在于：依次由衬底层(1)、阻变层(2)和电极层(3)组成三明治结构，所述阻变层(2)位于所述底层(1)和所述电极层(3)之间，所述电极层(3)由阴极薄膜和阳极薄膜两个图案化的平面电极组成，形成平面电极结构，所述平面电极结构为相接触的矩形和针形电极，然后将矩形Au电极与针形Au电极接触点熔断，使矩形Au电极和针形Au电极分别形成阴极薄膜和阳极薄膜，所述阻变层(2)为掺杂有磁性元素材料的非晶碳薄膜复合材料阻变材料薄膜，在所述阻变层(2)中，其中所述磁性元素材料的掺杂质量为5～20wt％。
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