[发明专利]具有触发器器件的保护器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610225787.0 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN106057796B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | V·V·温特;A·施门;D·佐杰卡;J·威勒门 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本申请涉及具有触发器器件的保护器件及其形成方法。半导体器件包括具有晶闸管的垂直保护器件和布置在衬底中的横向触发器元件。所述横向触发器元件用于触发所述垂直保护器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 触发器 器件 保护 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一垂直保护器件，包括布置在半导体衬底中的晶闸管；布置在所述半导体衬底中的第一横向触发器元件，所述第一横向触发器元件与所述第一垂直保护器件共享顶部区域，所述第一横向触发器元件用于触发所述第一垂直保护器件，其中所述第一横向触发器元件被配置为激活在第一平面中的电流流动，所述第一垂直保护器件被配置为激活在与所述第一平面垂直的第二平面中的电流流动；以及包括开口的金属互连，所述金属互连布置在所述半导体衬底中，所述开口包括布置在所述半导体衬底中的金属性导电层，其中所述金属性导电层将所述第一横向触发器元件与所述第一垂直保护器件电耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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