[发明专利]用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法在审
| 申请号： | 201610222440.0 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN105845796A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘雅丽;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法，该用于AlGaN光电器件的多量子阱结构包括：一衬底；一AlN缓冲层，其制作在衬底上；一AlN模板层，其制作在AlN缓冲层上；一AlGaN应力释放层，其制作在AlN模板层上；一N型AlGaN层，其制作在AlGaN应力释放层上；一AlGaN多量子阱层，其制作在N型AlGaN层上；一P型AlGaN/GaN层，其制作在AlGaN/AlGaN多量子阱层上。本发明其可以提高多量子阱光电器件的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 algan 光电 器件 多量 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于AlGaN光电器件的多量子阱结构，包括：一衬底；一AlN缓冲层，其制作在衬底上；一AlN模板层，其制作在AlN缓冲层上；一AlGaN应力释放层，其制作在AlN模板层上；一N型AlGaN层，其制作在AlGaN应力释放层上；一AlGaN多量子阱层，其制作在N型AlGaN层上；一P型AlGaN/GaN层，其制作在AlGaN/AlGaN多量子阱层上。
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