[发明专利]半导体装置

摘要

本公开的发明名称为“半导体装置”。本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0 V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。

主权项

一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极之上的栅绝缘层；所述栅绝缘层之上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层之上的第一绝缘层；所述第一绝缘层之上的第二绝缘层；以及其中所述第二绝缘层包括从氮化硅、氧氮化硅和氮化硅氧化物所组成的组中选择的一个化合物。