[发明专利]具有平面栅极的场板沟槽半导体器件有效
| 申请号： | 201610215273.7 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106057894B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;R.西米尼克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423;H01L29/40 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南<国际申请>=<国际公布 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有平面栅极的场板沟槽半导体器件。一种半导体器件包括第一和第二负载接触件以及沿着延伸方向延伸的半导体区。表面区被布置在半导体区上方并且耦合到半导体区。至少一个控制电极被布置在表面区内。至少一个连接器沟槽沿着延伸方向延伸到半导体区中，并且包括连接器电极。接触衬垫被布置在表面区内。接触滑道被布置在表面区内并且与接触衬垫和所述至少一个控制电极两者都分开放置，所述接触衬垫、接触滑道和至少一个控制电极彼此电耦合。接触衬垫和接触滑道两者或者接触滑道和至少一个控制电极两者电连接到所述至少一个连接器沟槽的连接器电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 平面 栅极 沟槽 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括第一负载接触件、第二负载接触件以及被配置成至少在正向方向上在第一负载接触件与第二负载接触件之间传导负载电流的半导体区，其中，所述半导体区包括：/n-包括半导体主体区和半导体源极区的第一半导体接触区段，所述半导体源极区电连接到第一负载接触件并且与半导体主体区接触；/n-电连接到第二负载接触件的第二半导体接触区段；/n-把第一半导体接触区段耦合到第二半导体接触区段的半导体漂移区段，其中半导体主体区把半导体源极区与半导体漂移区段隔离；/n其中，所述半导体器件在垂直横截面中还包括：/n-沿着从第一半导体接触区段指向第二半导体接触区段的延伸方向延伸到半导体区中的至少两个沟槽，每一个沟槽包括沟槽电极以及把相应的沟槽电极与半导体区绝缘的绝缘体，其中所述半导体区包括布置在所述至少两个沟槽之间的台面区段，所述台面区段包括第一半导体接触区段；/n并且其中，所述半导体器件被配置成建立用于在正向方向上传导负载电流的负载电流路径，所述负载电流路径在与包括所述至少两个沟槽的所述垂直横截面平行的台面区段的垂直横截面中仅包括单个反型沟道，所述单个反型沟道被包括在半导体主体区中；以及/n其中所述半导体器件还包括布置在第一半导体接触区段上方的控制电极，其中所述半导体器件被配置成根据控制电极的电位与第一负载接触件的电位之间的差异建立用于在正向方向上传导负载电流的负载电流路径。/n
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