[发明专利]蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光量子点发光层、蓝光能量传递层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述蓝光量子点发光层的厚度为8nm～15nm；所述蓝光能量传递层的厚度为0.2nm～2.2nm。这种蓝光量子点薄膜电致发光器件，首先采用厚度为8nm～15nm的蓝光量子点发光层，从而使得蓝光量子点发光层形成不完全连续薄膜，使得空穴可部分穿过蓝光量子点发光层而不在蓝光量子点发光层与空穴传输层界面过多积累，激子在蓝光能量传递层形成后通过能量传递的方式再到达蓝光量子点发光层上使其发光，解决蓝光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入势垒较高的问题。

主权项

一种蓝光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光量子点发光层、蓝光能量传递层、电子传输层、电子注入层以及阴极；所述蓝光量子点发光层的材料为蓝光量子点，所述蓝光量子点发光层的厚度为8nm～15nm；所述蓝光能量传递层的材料为蓝光有机发光材料，所述蓝光能量传递层的厚度为0.2nm～2.2nm；所述蓝光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS蓝光量子点或核壳结构的ZnCdS@ZnS蓝光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS蓝光量子点的粒径为3nm～6nm，所述核壳结构的ZnCdS@ZnS蓝光量子点的粒径为8nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe，“ZnCdS@ZnS”为ZnS包覆ZnCdS。