[发明专利]通过等离子体操作调节极端边缘鞘和晶片轮廓有效
申请号: | 201610210239.0 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN106356274B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 斯拉瓦纳普利安·斯利拉曼;汤姆·坎普;亚历山大·帕特森 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;杨学春 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及通过等离子体操作调节极端边缘鞘和晶片轮廓,具体提供了一种用于等离子体处理室的边缘环组件,其包括:被配置成围绕静电卡盘(ESC)的边缘环,所述静电卡盘被配置用于与第一RF功率源的电连接,所述静电卡盘具有用于支撑衬底的上表面和围绕所述上表面的环形台阶,所述环形台阶限定低于所述上表面的环形架;设置在所述边缘环下方且在所述环形架上方的环形电极;用于将环形电极与所述静电卡盘隔离的设置在所述环形电极下方的电介质环,所述电介质环布置在所述环形架上方;以及设置通过所述静电卡盘和穿过所述电介质环的多个绝缘连接件,所述多个绝缘连接件中的每个提供第二RF功率源和环形电极之间的电连接。 | ||
搜索关键词: | 通过 等离子体 操作 调节 极端 边缘 晶片 轮廓 | ||
【主权项】:
1.一种用于等离子体处理室的边缘环组件,其包括:边缘环,其被配置成围绕静电卡盘(ESC),所述静电卡盘被配置用于与第一RF功率源的电连接,所述静电卡盘具有用于支撑衬底的上表面和围绕所述上表面的环形台阶,所述环形台阶限定低于所述上表面的环形架;设置在所述边缘环下方且在所述环形架上方的环形电极;电介质环,其设置在所述环形电极下方以用于将所述环形电极与所述静电卡盘隔离,所述电介质环布置在所述环形架上方;和多个绝缘连接件,其设置成通过所述静电卡盘和通过所述电介质环,所述多个绝缘连接件中的每个提供第二RF功率源和所述环形电极之间的电连接。
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