[发明专利]基于PDHF/TiO2/PDHF双异质结型空穴增益紫外探测器及其制备方法有效
申请号: | 201610208947.0 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN105810828B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 阮圣平;张德重;董玮;郭文滨;沈亮;周敬然;温善鹏;张歆东;刘彩霞 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L31/109;H01L31/11 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种基于PDHF/TiO2/PDHF双异质结型空穴增益紫外探测器及其制备方法,属于半导体紫外光电探测技术领域。从下至上依次由衬底(石英片、硅片或氟化钙片)、采用溶胶‑凝胶法在衬底上制备的纳米TiO2薄膜、采用旋涂法在TiO2薄膜表面制备的PDHF薄膜、在PDHF薄膜表面采用磁控溅射法制备的金属(Au、Pt或Ni)叉指电极组成。在叉指电极间形成PDHF/TiO2/PDHF双异质结构,在暗态时可以有效阻挡电子传输,在紫外光照下又可形成空穴增益,使器件暗电流被明显改善的同时,光电流也有一定提高,性能得到全面提升。 | ||
搜索关键词: | 空穴 制备 双异质结型 紫外探测器 叉指电极 衬底 双异质结构 薄膜表面 表面制备 磁控溅射 电子传输 紫外光照 紫外光 暗电流 电探测 氟化钙 光电流 凝胶法 石英片 旋涂法 硅片 暗态 薄膜 半导体 金属 阻挡 | ||
【主权项】:
1.一种基于PDHF/TiO2 /PDHF双异质结型空穴增益紫外探测器,其特征在于:从下至上依次由衬底、采用溶胶-凝胶法在衬底上制备的纳米TiO2 薄膜、采用旋涂法在TiO2 薄膜表面制备的PDHF薄膜、在PDHF薄膜表面采用磁控溅射法制备的金属叉指电极组成;其中,衬底的厚度为0.5~1.5mm,纳米TiO2 薄膜的厚度为80~120nm,PDHF薄膜的厚度为3~15nm,叉指电极的厚度为100~150nm,电极长度、电极间距、电极宽度分别为0.8~1.2mm、10~30μm、10~30μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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