[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法无效
| 申请号： | 201610203716.0 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105844042A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 徐跃杭;陈志凯;徐锐敏;延波 | 申请（专利权）人： | 徐跃杭;电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新西*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法，包括：测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管，获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流‑电压特性；将所述电流‑电压特性用于与所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路模型，提取关于所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路参数；根据所述大信号等效电路参数，利用响应曲线法建立大信号统计模型。该建模方法能够减少数据量，避免出现异常值而遇到不收敛的问题，使通过该建模方法获得的统计模型能够准确反映不同器件的工艺变化情况，使晶体管的生产质量稳定、均衡。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 电子 迁移率 晶体管 信号 统计 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓高电子迁移率晶体管大信号统计模型建模方法，其特征在于，包括：测试每一批次中若干个氮化镓高电子迁移率晶体管，获得所述氮化镓高电子迁移率晶体管的电流‑电压特性；将所述电流‑电压特性用于所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路模型，提取关于所述氮化镓高电子迁移率晶体管的大信号等效电路参数；根据所述大信号等效电路参数，利用响应曲线法建立大信号统计模型。
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