[发明专利]一种SrFeO2.5磁性薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610202051.1 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105845436A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 谈国强;乐忠威;杨玮;任慧君;夏傲 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/24 | 分类号： | H01F41/24;H01F41/22;H01F10/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 岳培华 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SrFeO2.5磁性薄膜及其制备方法，将Sr(NO3)2和Fe(NO3)3·H2O溶解于乙二醇和醋酸酐的混合液中，搅拌均匀，得到SrFeO2.5前躯液。采用旋涂法和逐层退火的工艺，在基片上制得SrFeO2.5磁性薄膜。本发明设备要求简单，实验条件容易达到，化学组分精确可控，制备的SrFeO2.5磁性薄膜均匀性较好，具有正交结构。当测试频率为1kHz时，该薄膜的介电常数为425；当电场为100kV/cm时，该薄膜的漏电流密度为1.07×10‑4A/cm2，室温下，该薄膜的饱和磁化值为5.4emu/cm3，剩余磁化值为0.45emu/cm3。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 srfeo sub 2.5 磁性 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SrFeO2.5磁性薄膜，其特征在于：该薄膜的结构式为SrFeO2.5，该薄膜属于ICMM空间点群，具有正交结构，晶胞参数a＝5.5280、b＝15.5579、c＝5.4424。
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