[发明专利]在鳍式场效晶体管中形成击穿中止区域的方法

摘要

本发明揭露一种在鳍式场效晶体管中形成击穿中止区域的方法，其中，基板可被蚀刻，以形成一对凹槽，以定义鳍片构造。一部份的第一剂离子可经由每一凹槽的底壁植入基板，以在基板形成一对第一掺杂区域，其中每一第一掺杂区域至少一部份延伸到鳍片构造的一信道区域之下。位于每一凹槽底壁的基板可被蚀刻以增加每一凹槽的深度。蚀刻位于每一凹槽底壁的基板会移除一部份在每一凹槽之下的每一第一掺杂区域。在鳍片构造之下，剩下来的该对第一掺杂区域至少定义出一部份鳍片场效晶体管击穿中止区域。

主权项

一种于鳍式场效晶体管中形成击穿中止区域的方法，其特征在于，包含：蚀刻一基板以形成一对凹槽，该对凹槽定义一鳍片构造，且其中一顶盖层被设置于该鳍片构造的一顶面上；植入一第一剂离子，使一部份该第一剂离子经由每一该凹槽的一底壁植入该基板，以在该基板形成一对第一掺杂区域，其中每一该第一掺杂区域至少一部份延伸到该鳍片构造的一信道区域之下；以及蚀刻位于每一该凹槽的该底壁的该基板，以增加每一该凹槽的深度，其中蚀刻位于每一该凹槽的该底壁的该基板会移除一部份在每一该凹槽的下的每一该第一掺杂区域，其中在该鳍片构造之下，剩下来的该对第一掺杂区域至少定义出部份该击穿中止区域。