[发明专利]具有掺杂分布的半导体晶体管器件

摘要

本发明提供了晶体管以及用于形成晶体管的方法。该方法包括：在晶体管沟道区域中执行至少一个注入操作，然后在引入进一步的掺杂杂质之前在注入区域上方形成碳化硅/硅复合膜。具有小倾斜角度的晕环注入操作用于在晶体管沟道的边缘处形成高掺杂浓度的区域以缓解短沟道效应。晶体管结构在与栅极介电质的衬底界面处包括降低的掺杂杂质浓度并且在表面下方大约10nm至50nm具有峰值浓度。掺杂分布在晶体管沟道的相对端处具有高掺杂杂质浓度区域。

主权项

一种用于形成晶体管的方法，包括：在半导体衬底的晶体管区域中形成凹部；将具有第一杂质类型的杂质引入至所述晶体管区域中；在所述晶体管区域中的沟道区域上方形成碳化硅层；在所述碳化硅层上方形成硅层；在所述沟道区域上方的所述硅层上方形成栅极介电质；在所述沟道区域上方的所述栅极介电质上方形成栅电极；以及当与所述沟道区域相邻的所述硅层的表面露出时，执行成角度的离子注入以在所述沟道区域的边缘处将具有所述第一杂质类型的附加杂质引入所述半导体衬底。