[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610182437.0 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN105789322B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;津吹将志;乡户宏充 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一个目的是提供一种包括氧化物半导体膜、具有稳定电特性的高度可靠的薄膜晶体管。包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的沟道长度在1.5μm至100μm(包括两端)、优选地为3μm至10μm(包括两端)的范围之内；当阈值电压的变化量在室温至180℃(包括两端)或者‑25℃至‑150℃(包括两端)的工作温度范围中小于或等于3V、优选地小于或等于1.5V时，能够制造具有稳定电特性的半导体器件。具体来说，在作为半导体器件的一个实施例的显示装置中，能够降低因阈值电压的变化而引起的显示不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，在具有绝缘表面的衬底上具有栅电极层，在所述栅电极层上具有栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上具有氧化物半导体层，在所述氧化物半导体层上具有源电极层及漏电极层，在所述栅极绝缘层、所述氧化物半导体层、所述源电极层及所述漏电极层上具有与所述氧化物半导体层的一部分及所述栅极绝缘层的一部分接触的保护绝缘层，所述氧化物半导体层包含铟、镓及锌，在室温以上180℃以下的温度范围中，阈值电压的变动幅度为3V以下。
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