[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及液晶显示面板在审
| 申请号： | 201610182408.4 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105845693A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 赵书力;卢马才 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管、液晶显示面板及薄膜晶体管的制备方法。薄膜晶体管包括：基板；栅区，设置在所述基板的表面；绝缘层，覆盖所述栅区；第一导电部，设置在所述绝缘层远离所述栅区的表面上；第二导电部，设置在所述绝缘层远离所述栅区的表面上，且所述第二导电部与所述第一导电部间隔设置；源区，设置在所述第一导电部远离所述绝缘层的表面上；漏区，设置在所述第二导电部远离所述绝缘层的表面上；有源层，设置在所述绝缘层远离所述栅区的表面上，且所述有源层相对的两端分别与所述源区及所述漏区电连接；及钝化层，覆盖所述源区、所述漏区及所述有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板；栅区，设置在所述基板的表面；绝缘层，覆盖所述栅区；第一导电部，设置在所述绝缘层远离所述栅区的表面上；第二导电部，设置在所述绝缘层远离所述栅区的表面上，且所述第二导电部与所述第一导电部间隔设置；源区，设置在所述第一导电部远离所述绝缘层的表面上；漏区，设置在所述第二导电部远离所述绝缘层的表面上；有源层，设置在所述绝缘层远离所述栅区的表面上，且所述有源层相对的两端分别与所述源区及所述漏区电连接；及钝化层，覆盖所述源区、所述漏区及所述有源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
