[发明专利]一种二硫化钼的基底转移方法

摘要

本发明公开了一种二硫化钼的基底转移方法。它包括如下步骤1)将生长有二硫化钼的生长基底放在匀胶机上，在生长基底有二硫化钼的一面滴涂聚甲基丙烯酸甲酯溶液，启动匀胶机匀胶，使聚甲基丙烯酸甲酯溶液在二硫化钼上成膜，得到涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼的生长基底；2)将步骤1)中涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼的生长基底放入去离子水中超声，使涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼一面与生长基底脱离；3)使用目标衬底与步骤2)中涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼贴合；4)将步骤3)中二硫化钼浸入有机溶剂中除去聚甲基丙烯酸甲酯，得到目标衬底上的二硫化钼。本发明是一种快速、无需刻蚀生长基底的转移方法，生长基底可以循环使用并对环境友好，极大的缩短了基底转移的时间。

主权项

一种二硫化钼的基底转移方法，包括如下步骤：1)将生长有二硫化钼的生长基底中有二硫化钼的一面滴涂聚甲基丙烯酸甲酯溶液，使所述聚甲基丙烯酸甲酯溶液在二硫化钼上成膜，得到涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼的生长基底；2)将步骤1)中所述涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼的生长基底放入去离子水中超声，使涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼与所述生长基底脱离；3)使用目标衬底与步骤2)中所述涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼贴合；4)将步骤3)中所述二硫化钼浸入有机溶剂中除去所述聚甲基丙烯酸甲酯，得到目标衬底上的二硫化钼。