[发明专利]氮化镓晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种氮化镓晶体管的制作方法，该方法首先通过在AlGaN势垒层的表面上依次生长GaN冒层、氮化硅层和氧化层；并对第一区域下的氧化层、氮化硅层以及GaN冒层进行刻蚀，形成源漏极接触孔；再通过对位于预设的第二区域上的金属层进行刻蚀，形成源漏极；并于形成源漏极后，进一步通过刻蚀工艺和淀积工艺形成栅极，实现了抑制器件表面电荷，控制器件电流崩塌现象，抑制器件不稳定性的目的，能够提高器件的输出功率和功率效率。

主权项

一种氮化镓晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底表面上依次生长GaN缓冲层、AlGaN势垒层，并在所述AlGaN势垒层的表面上生长GaN冒层；在所述GaN冒层的表面上依次淀积氮化硅层和氧化层；采用刻蚀工艺对预设的第一区域下的所述氧化层、氮化硅层以及所述GaN冒层进行刻蚀，形成源漏极接触孔；淀积源漏极金属层，并通过光刻工艺对位于预设的第二区域上的所述源漏极金属层进行刻蚀形成源漏极；通过刻蚀工艺对预设的第三区域下的所述氧化层和所述氮化硅层进行刻蚀，形成阳极接触孔，其中所述第三区域包含于所述第二区域；淀积栅极金属，并通过光刻工艺对所述栅极金属进行刻蚀，形成栅极。