[发明专利]氮化镓场效应晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201610178259.4 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230706A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张莲莲,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓场效应晶体管的制作方法，包括在氮化镓基底上形成钝化层；在所述钝化层中形成欧姆金属层，所述欧姆金属层的底部接触所述氮化镓基底；进行第一退火工艺，以使所述欧姆金属层与所述氮化镓基底之间形成欧姆接触，所述第一退火工艺的退火温度大于或等于760摄氏度且小于或等于800摄氏度；进行第二退火工艺，形成欧姆电极，所述第二退火工艺的退火温度大于或等于790摄氏度且小于或等于830摄氏度。本实施例的氮化镓场效应晶体管的制作方法，能够形成良好的欧姆接触以及较好的边缘形貌，氮化镓场效应晶体管耐压的均一性好，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在氮化镓基底上形成钝化层；在所述钝化层中形成欧姆金属层，所述欧姆金属层的底部接触所述氮化镓基底；进行第一退火工艺，以使所述欧姆金属层与所述氮化镓基底之间形成欧姆接触，所述第一退火工艺的退火温度大于或等于760摄氏度且小于或等于800摄氏度；进行第二退火工艺，形成欧姆电极，所述第二退火工艺的退火温度大于或等于790摄氏度且小于或等于830摄氏度。
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