[发明专利]低速自旋空间非磁化金属碎片的加速消旋磁场的产生方法有效

专利信息
申请号: 201610177608.0 申请日: 2016-03-25
公开(公告)号: CN105857647B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 骆光照;徐永强;孙楚昕;宋受俊;岳晓奎 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: B64G4/00 分类号: B64G4/00;H01F7/02
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种低速自旋空间非磁化金属碎片的加速消旋磁场的产生方法,利用在与恒定消旋磁场相正交的方向上施加变化磁场,从而在碎片导体内部产生涡流,与在恒定磁场作用下碎片旋转运动产生的涡流共同作用,以增强低速旋转碎片内部的涡流效应,提高恒定磁场作用下的消旋转矩,缩短碎片消旋时间的一种磁场设置方法。本发明方法同现有技术相比具有以下优点:利用变化磁场产生涡流,与非磁化金属碎片旋转运动在磁场中产生的涡流叠加,产生消旋转矩,提高了能量传递的效率,增大了消旋转矩,减小了消旋时间。
搜索关键词: 涡流 消旋 磁场 磁化金属 变化磁场 恒定磁场 自旋空间 恒定 导体 低速旋转 能量传递 涡流效应 正交的 减小 与非 叠加 施加
【主权项】:
1.一种低速自旋空间非磁化金属碎片的加速消旋磁场的产生方法,其特征在于:在恒定磁场的正交方向施加一个交变磁场,在碎片导体内部共同产生涡流,增强涡流转矩,加速消旋过程,具体步骤如下:步骤1:在与非磁化金属碎片的旋转主轴垂直的平面内,以碎片主轴通过点为原点,选择两个任意相互垂直的方向为x轴和y轴,在y轴和x轴两个轴向方向分别施加磁场M和磁场N;磁场M的正方向为y轴负方向,磁场N的正方向的为x轴正方向;步骤2:确定产生消旋转矩的条件:1、当磁场M为具有恒定的磁场强度H1时,磁场N为变化的磁场强度H2:情况1:当碎片逆时针旋转时:若磁场M恒定的磁场强度H1>0,磁场N施加变化的磁场强度H2沿x轴正方向减小,为若磁场M恒定的的磁场强度H1<0,磁场N施加变化的磁场强度H2沿x轴正方向增加,为情况2:当碎片顺时针旋转时:若磁场M恒定的磁场强度H1>0,磁场N施加变化的磁场强度H2沿x轴正方向增加,为若磁场M恒定的磁场强度H1<0,磁场N施加变化的磁场强度H2沿x轴正方向减小,为2、磁场M具有变化的磁场强度H1,磁场N具有恒定的磁场强度H2;情况1:当碎片逆时针旋转时:若磁场N恒定的磁场强度H2>0,磁场M施加变化的磁场强度H1沿y轴负方向增加,为若磁场N恒定的磁场强度H2<0,磁场M施加变化的磁场强度H1沿y轴负方向减小,为情况2:当碎片顺时针旋转时:若磁场N恒定的磁场强度H2>0,磁场M施加变化的磁场强度H1沿y轴负方向减小,为若磁场N恒定的磁场强度H2<0,磁场M施加变化的磁场强度H1沿y轴负方向增加,为
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