[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供形成有栅极结构的衬底；形成保形覆盖栅极结构和衬底的侧壁结构膜，包括第一侧壁膜、位于第一侧壁膜顶部表面的第二侧壁膜以及位于第二侧壁膜顶部表面的第三侧壁膜；采用第一无掩膜刻蚀工艺，去除部分厚度的第三侧壁膜，第一无掩膜刻蚀工艺对第三侧壁膜和第二侧壁膜具有第一刻蚀选择比；采用第二无掩膜刻蚀工艺，去除栅极结构顶部和衬底上的剩余第三侧壁膜，形成第三侧壁层，第二无掩膜刻蚀工艺对第三侧壁膜和第二侧壁膜具有第二刻蚀选择比，且大于第一刻蚀选择比。本发明采用第二无掩膜刻蚀工艺形成第三侧壁层，第二刻蚀选择比大于第一刻蚀选择比，从而可以减小对第二侧壁膜的损耗，进而避免衬底受到损伤。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构；形成保形覆盖所述栅极结构和衬底表面的侧壁结构膜，所述侧壁结构膜包括第一侧壁膜、位于所述第一侧壁膜顶部表面的第二侧壁膜以及位于所述第二侧壁膜顶部表面的第三侧壁膜，其中，所述第三侧壁膜与所述第二侧壁膜的材料不相同；采用第一无掩膜刻蚀工艺，去除部分厚度的所述第三侧壁膜，其中，所述第一无掩膜刻蚀工艺对所述第三侧壁膜和第二侧壁膜具有第一刻蚀选择比；采用第二无掩膜刻蚀工艺，去除所述栅极结构顶部以及所述衬底上的剩余第三侧壁膜，形成第三侧壁层，其中，所述第二无掩膜刻蚀工艺对所述第三侧壁膜和第二侧壁膜具有第二刻蚀选择比，所述第二刻蚀选择比大于所述第一刻蚀选择比；以所述第三侧壁层为掩膜，采用第三无掩膜刻蚀工艺，去除所述栅极结构顶部以及所述衬底上的第二侧壁膜，形成第二侧壁层；所述第三侧壁层、第二侧壁层以及第一侧壁膜构成侧壁结构。