[发明专利]一种GaAsHBT功率器件在审
| 申请号： | 201610172324.2 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107230708A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 周佳辉;郭嘉帅;钱永学;孟浩 | 申请（专利权）人： | 上海翰微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaAs HBT功率器件，所述GaAs HBT功率器件包括多个并联的HBT晶体管，所述GaAs HBT功率器件的衬底隔离区开设有背孔，所述GaAs HBT功率器件的衬底有源区在所述HBT晶体管的背面位置开设有背孔，所述HBT晶体管的发射极通过布线金属与衬底隔离区的背孔金属相连。本发明能够有效改善GaAs HBT功率器件由于自热和热耦合引起的电流增益崩塌现象，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaashbt 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种GaAs HBT功率器件，其特征在于，所述GaAs HBT功率器件包括多个并联的HBT晶体管，所述GaAs HBT功率器件的衬底隔离区开设有背孔，所述GaAs HBT功率器件的衬底有源区在所述HBT晶体管的背面位置开设有背孔，所述HBT晶体管的发射极通过布线金属与衬底隔离区的背孔金属相连。
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