[发明专利]一种带隙可调的层状杂合物薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201610169326.6 | 申请日: | 2016-03-23 |
公开(公告)号: | CN105742502A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 刘韩星;杜湘军;刘克永;甘小燕;郭丽玲;郝华;曹明贺 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 刘洋 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种带隙可调的层状杂合物薄膜及其制备方法。杂合物薄膜材料为层状杂合物。采用以下方式制备而来:将碘苯乙胺、碘化亚锡、碘化铅以0.1≤x≤0.9化学计量比混合,用有机溶剂溶解,震荡搅拌5~60min,得到前驱体溶液;在惰性气氛环境中将前驱体溶液在基板上旋涂镀膜,然后热处理,得到杂合物薄膜。这种杂合物薄膜其晶体结构呈层状,并且当x<0.7时在空气中有很好的稳定性,杂合物薄膜的带隙可随着x的不同而在1.91eV~2.33eV范围内调整。该类杂合物薄膜不仅由于使用Sn(Ⅱ)部分替代了Pb元素,减少了Pb的使用,有利于环境的保护,而且在光伏器件方面也有潜在的使用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 可调 层状 杂合物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种带隙可调的层状杂合物薄膜,其特征在于包括杂合物薄膜材料,所述的杂合物薄膜材料为层状杂合物(C6H5C2H4NH3)2SnxPb1‑xI4,其中0.1≤x≤0.9。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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