[发明专利]鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构有效
| 申请号： | 201610168040.6 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106024885B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 赵益承;张家玮;巫柏奇;李荣瑞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式场效应器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括衬底，以及衬底包括第一区和第二区。FinFET器件结构包括形成在衬底上的隔离结构和形成在第一区上的第一鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在第二区上的第二鳍结构，以及第一鳍结构的数目大于第二鳍结构的数目。第一鳍结构具有第一高度，第二鳍结构具有第二高度，以及第一高度和第二高度之间的间隙保持在从约0.4nm至约4nm的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 finfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：衬底，其中，所述衬底包括第一区和第二区；隔离结构，形成在所述衬底上；第一鳍结构，形成在所述第一区上；第二鳍结构，形成在所述第二区上，其中，所述第一鳍结构的数目大于所述第二鳍结构的数目；以及形成在所述第二区上的剩余的鳍结构，其中，所述剩余的鳍结构完全地被所述隔离结构覆盖，其中，所述第一鳍结构具有从所述隔离结构的顶面至所述第一鳍结构的顶面测得的第一高度；所述第二鳍结构具有从所述隔离结构的顶面至所述第二鳍结构的顶面测得的第二高度；以及所述第一高度和所述第二高度之间的间隙在0.4nm至4nm的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610168040.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种含虾青素的巧克力制品及其制备方法与应用
- 下一篇：一种智能流酒嘴装置
- 同类专利
- 专利分类
