[发明专利]一种硅酸盐晶体的生长方法在审
| 申请号： | 201610165600.2 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN105803517A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 沈丽明 | 申请（专利权）人： | 沈丽明 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B28/10;C30B29/34 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 发明提供的一种硅酸盐晶体的生长方法，包括以下步骤：将稀土氧化物和氧化硅置于球磨机中球磨混料，得混合粉料；将混合粉料分批装入衬有玻璃纸的模具中，在油压机中压成料饼；将料饼置于坩埚中，通入混合气体高温烧结，使其发生固相反应，降温至室温；将装有产物的坩埚置于提拉炉中，恒温使其完全熔化，得熔体；将籽晶在结晶温度下接触熔体，控制籽晶旋转速度经缩颈、放肩、等径、收尾、原位退火五步提拉工艺使晶体生长，得硅酸盐晶体。本发明采用提拉法促进硅酸盐晶体生长，通过对原料、生长条件、生长工艺优化，使制得的硅酸盐晶体生长性能均一、质量高、完全透明，无包裹体、气泡、开裂等宏观缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸盐 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种硅酸盐晶体的生长方法，其特征在于：(1)将稀土氧化物和氧化硅置于球磨机中球磨混料，得混合粉料；(2)将混合粉料分批装入衬有玻璃纸的模具中，在油压机中压成料饼；(3)将料饼置于坩埚中，通入混合气体高温烧结，使其发生固相反应，降温至室温；(4)将步骤(3)装有反应产物的坩埚置于提拉炉中，加热至1500～1700℃，恒温使其完全熔化，得熔体；(5)将籽晶在结晶温度下接触熔体，控制籽晶旋转速度经缩颈、放肩、等径、收尾、原位退火五步提拉工艺使晶体生长，得硅酸盐晶体。
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