[发明专利]一种闪存单元模型的电压分配方法及装置有效
| 申请号： | 201610165004.4 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN105844008B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 廖梦星;高超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘彦君;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存单元模型的电压分配方法及装置，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括：一位线电极、一控制栅极及一浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试电流，所述方法包括：根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例pcg计算得到第一电压值V31，其中0＜pcg≤1；根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述第一电压值V31，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。采用上述方案可以提高闪存单元模型的模拟结果精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 单元 模型 电压 分配 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括：位线电极、控制栅极以及浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括：根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例pcg计算得到第一电压值V31，其中0＜pcg≤1；根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述第一电压值V31，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。
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