[发明专利]一种MOSFET BSIM4子电路器件模型及其建模方法有效
| 申请号： | 201610163792.3 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN105844006B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 彭兴伟;王伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET BSIM4子电路器件模型系统及其建模方法，包括标准MOSFET BSIM4子电路模型和全局参数修正模型，所述全局参数修正模型包括：电流值拟合曲线库，包括至少一条沟道长度L方向上的电流值拟合曲线和至少一条沟道宽度W方向上的电流值拟合曲线；参数修正模块，用于对需要修正的N个全局参数分别在L、W和小器件方向上进行修正；和调用模块，用于将修正之后的全局参数调用到所述的标准MOSFET BSIM4子电路模型中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet bsim4 电路 器件 模型 及其 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET BSIM4子电路器件模型系统，包括标准MOSFET BSIM4子电路模型和用于对全局参数进行修正的全局参数修正模型，其特征在于，所述全局参数修正模型还包括：一个电流值拟合曲线库，包括至少一条沟道长度L方向上的电流值拟合曲线和至少一条沟道宽度W方向上的电流值拟合曲线；参数修正模块，用于对需要修正的N个全局参数分别在三个方向上进行修正，其中，N为正整数，全局参数在沟道长度L方向上的修正值是保持沟道宽度W不变，通过所述全局参数在沟道长度L方向上的可调参数的函数来拟合一条所述沟道长度L方向上的电流值拟合曲线得到，全局参数在沟道宽度W方向上的修正值是保持沟道长度L不变，通过所述全局参数在沟道宽度W方向上的可调参数的函数来拟合一条所述沟道宽度W方向上的电流值拟合曲线得到，全局参数在小器件方向上的修正值是通过所述全局参数在小器件方向上的可调参数的函数来同时拟合所述L和W方向上的的电流值拟合曲线得到；调用模块，用于将修正之后的全局参数调用到所述的标准MOSFET BSIM4子电路模型中；其中，所述全局参数在沟道长度L方向上、在沟道宽度W方向上和在小器件方向上的可调参数的函数为pwr幂函数。
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