[发明专利]一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法有效
| 申请号： | 201610144523.2 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105836733B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 孙捷;樊星;许坤;郭伟玲;徐晨;邓军 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法，属于半导体材料生长领域。首先利用化学气相沉积法在非金属衬底上生长一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上溅射一层薄金属层，将生长有薄金属层的衬底再次进行石墨烯薄膜的CVD生长，生长完成后去除表面石墨烯薄膜与金属层。本发明改善了非金属衬底上直接生长的石墨烯的质量，经过再次催化生长后，石墨烯薄膜的质量和性能均得到了显著提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 非金属 衬底 直接 生长 石墨 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种改善非金属衬底上直接生长石墨烯质量的方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：步骤1、在非金属衬底上生长的石墨烯薄膜表面溅射一层厚度为500‑600nm的Cu；步骤2、将步骤1所得样品放入CVD反应室中再次进行石墨烯的化学气相沉积再生长；步骤3、取出步骤3生长石墨烯后的样品，使用氧等离子体去除Cu表面的石墨烯，然后再使用FeCl3溶液腐蚀掉Cu。
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