[发明专利]一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法

摘要

本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法。其结构包括PZT基片、镀在其两面的上下电极和制备于上电极上的铁氧体膜片。PZT基片含有缺陷偶极子，厚度为0.25mm～1mm；下电极厚度10nm～500微米，上电极厚度10‑500纳米。铁氧体膜片成分为Ni0.27Zn0.1Fe2.63O4，采用旋转喷涂的方法90℃低温沉积在PZT基片的上电极而成，且其电阻率≥106Ω.cm，厚度为1～10μm。使用时，将噪声干扰抑制器的铁氧体膜片这一面倒扣在微带或共面波导传输线上，PZT基片的上下电极不接触到传输线的电极即可。本发明干扰的抑制效果好，使用方便；节约能源；中心频率连续可调。

主权项

1.一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器，包括PZT基片、上下电极和铁氧体膜片，上下电极镀在PZT基片的两面，上电极上制备一层铁氧体膜片，其特征在于：所述PZT基片含有缺陷偶极子，是通过对PZT陶瓷基片进行受主掺杂后，在陶瓷内部产生氧空位，氧空位与掺杂离子形成缺陷偶极子，再经过极化和老化处理后得到，厚度为0.25mm～1mm；所述下电极的厚度为10nm～500微米，上电极厚度为10‑500纳米；所述上下电极均为良好导电的金属电极；所述铁氧体膜片为NiZn铁氧体膜，采用旋转喷涂的方法90℃低温沉积在PZT基片的上电极上而成，且其电阻率≥106Ω.cm，厚度为1～10μm；所述铁氧体膜片的面积小于上电极的面积。